三星和SK海力士将采用EUV生产DRAM,美光:暂不跟进

老伙计网消息(文/Oliver),日前,据韩国媒体报道,三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术,以建立更高的技术壁垒。对此,美光(Micron)企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示,美光不打算跟进,目前并无采用 EUV 计划。

《三星和SK海力士将采用EUV生产DRAM,美光:暂不跟进》

目前,三星电子、SK海力士和美光科技占据全球DRAM市场约94%的份额,而三星电子和SK海力士约占74%的份额。

据ETNEWS报道,三星电子上个月开发出的EUV DRAM是基于该公司的第三代10nm级(1z)工艺构建的16Gb LPDDR5 DRAM。该移动DRAM的速度为6,400 Mb / sis,比当今大多数旗舰智能手机中的12Gb LPDDR5(5,500 Mb / s)快16%。当DRAM制成16GB封装时,它能够在一秒钟内处理51.2GB。

不过,EUV光刻机需要大量投资,因为单个EUV光刻机的成本为1.29亿美元。该技术还具有很高的技术壁垒。但是,三星电子做出了一项大胆的决定,就是将EUV DRAM商业化。三星电子的下一个目标是将EUV技术应用于基于第四代10nm级(1a)工艺的DRAM,该产品是三星电子的下一代产品。

SK海力士也在致力于EUV DRAM的开发。该公司的未来技术研究所成立EUV光刻研发的工作团队,并且正在研究EUV光刻所需的必要技术,例如光刻、蚀刻和掩模制造。

SK海力士的目标是将EUV工艺应用于明年年初生产的1a DRAM,该公司还正在制定接下来的路线图,包括在2022年完成1b EUV DRAM的开发。

预计SK海力士未来将在其M16晶圆厂批量生产EUV DRAM,该工厂被认为是该公司的下一代DRAM生产基地。据悉,该公司已在其利川园区放置了两台EUV光刻机。一旦M16晶圆厂的建设在今年年底完成,SK Hynix将开始在M16晶圆厂建造和部署与EUV光刻相关的必要设施和设备。(校对/LL)

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